Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гарбузов, Д. З. - Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (хи...
Гарбузов, Д. З. - Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (хи...
Статья
Автор: Гарбузов, Д. З.
Физика и техника полупроводников: Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (хи...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гарбузов, Д. З.
Физика и техника полупроводников: Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (хи...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гарбузов, Д. З.
Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (хи=1.3 мкм) с мощностью излучения 160 мВт / Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Н. Л. Рассудов, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 8 . – с. 1414-1418 .
Гарбузов, Д. З.
Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (хи=1.3 мкм) с мощностью излучения 160 мВт / Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Н. Л. Рассудов, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 8 . – с. 1414-1418 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 8
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 8
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный