Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ермаков, О. Н. - Светодиоды на основе эпитаксиальных p-n-структур GaN / Физические свойства и методы исследования
Ермаков, О. Н. - Светодиоды на основе эпитаксиальных p-n-структур GaN / Физические свойства и методы исследования
Статья
Автор: Ермаков, О. Н.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Светодиоды на основе эпитаксиальных p-n-структур GaN / Физические свойства и методы исследования
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ермаков, О. Н.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Светодиоды на основе эпитаксиальных p-n-структур GaN / Физические свойства и методы исследования
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ермаков, О. Н.
Светодиоды на основе эпитаксиальных p-n-структур GaN / Физические свойства и методы исследования / О. Н. Ермаков, В. Н. Мартынов, Е. А. Кононенков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2002 . – N 3 . – с. 68-71 .
Ермаков, О. Н.
Светодиоды на основе эпитаксиальных p-n-структур GaN / Физические свойства и методы исследования / О. Н. Ермаков, В. Н. Мартынов, Е. А. Кононенков // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2002 . – N 3 . – с. 68-71 .
Привязано к:
Нет экз.