Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вилисова, М. Д. - Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекуля...
Вилисова, М. Д. - Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекуля...
Статья
Автор: Вилисова, М. Д.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекуля...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вилисова, М. Д.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекуля...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Вилисова, М. Д.
Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Эпитаксиальные слои и многослойные композиции / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. В. Субач, С. Е. Торопов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2002 . – N 4 . – с. 44-46 .
Вилисова, М. Д.
Влияние отношения потоков As и Ga и примеси Si на рост слоев GaAs при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Эпитаксиальные слои и многослойные композиции / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, С. В. Субач, С. Е. Торопов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2002 . – N 4 . – с. 44-46 .
Привязано к:
Нет экз.