Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Акимов, А. В. - Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs
Акимов, А. В. - Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs
Статья
Автор: Акимов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Акимов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Акимов, А. В.
Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs / А. В. Акимов, В. Г. Шофман // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 9 . – с. 1593-1600 .
Акимов, А. В.
Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs / А. В. Акимов, В. Г. Шофман // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 9 . – с. 1593-1600 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 9
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 9
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный