Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Джиоев, Р. И. - Эффект Ханле в неоднородно легированном GaAs / Полупроводники. Диэлектрики
Джиоев, Р. И. - Эффект Ханле в неоднородно легированном GaAs / Полупроводники. Диэлектрики
Статья
Автор: Джиоев, Р. И.
Физика твердого тела: Эффект Ханле в неоднородно легированном GaAs / Полупроводники. Диэлектрики
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Джиоев, Р. И.
Физика твердого тела: Эффект Ханле в неоднородно легированном GaAs / Полупроводники. Диэлектрики
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Джиоев, Р. И.
Эффект Ханле в неоднородно легированном GaAs / Полупроводники. Диэлектрики / Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, К. В. Кавокин, М. В. Лазарев // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2003 . – Т. 45, N 12 . – с. 2153-2160 .
Джиоев, Р. И.
Эффект Ханле в неоднородно легированном GaAs / Полупроводники. Диэлектрики / Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, К. В. Кавокин, М. В. Лазарев // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2003 . – Т. 45, N 12 . – с. 2153-2160 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1