Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бояркина, Н. И. - Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле...
Бояркина, Н. И. - Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле...
Статья
Автор: Бояркина, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бояркина, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бояркина, Н. И.
Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Н. И. Бояркина, С. А. Смагулова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 5 . – с. 513-515 .
Бояркина, Н. И.
Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Н. И. Бояркина, С. А. Смагулова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 5 . – с. 513-515 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 5
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 5
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный