Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Драпак, С. И. - Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe-p-GaSe процес...
Драпак, С. И. - Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe-p-GaSe процес...
Статья
Автор: Драпак, С. И.
Физика и техника полупроводников: Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe-p-GaSe процес...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Драпак, С. И.
Физика и техника полупроводников: Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe-p-GaSe процес...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Драпак, С. И.
Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe-p-GaSe процессе 'старения' / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / С. И. Драпак, В. Б. Орлецкий, З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 5 . – с. 566-569 .
Драпак, С. И.
Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe-p-GaSe процессе 'старения' / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / С. И. Драпак, В. Б. Орлецкий, З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 5 . – с. 566-569 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 5
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 5
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный