Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кондрат, А. Б. - Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb-Si(n)-Bi-Ge33As...
Кондрат, А. Б. - Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb-Si(n)-Bi-Ge33As...
Статья
Автор: Кондрат, А. Б.
Физика и техника полупроводников: Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb-Si(n)-Bi-Ge33As...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кондрат, А. Б.
Физика и техника полупроводников: Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb-Si(n)-Bi-Ge33As...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кондрат, А. Б.
Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb-Si(n)-Bi-Ge33As12Se55-Sb / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / А. Б. Кондрат, Н. И. Попович, Н. И. Довгошей // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 11 . – с. 1339-1342 .
Кондрат, А. Б.
Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb-Si(n)-Bi-Ge33As12Se55-Sb / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / А. Б. Кондрат, Н. И. Попович, Н. И. Довгошей // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 11 . – с. 1339-1342 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 11
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 11
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный