Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Герловин, И. Я. - Механизмы глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs/AlGaAs-гетероструктур / Полупроводниковые ...
Герловин, И. Я. - Механизмы глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs/AlGaAs-гетероструктур / Полупроводниковые ...
Статья
Автор: Герловин, И. Я.
Физика и техника полупроводников: Механизмы глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs/AlGaAs-гетероструктур / Полупроводниковые ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Герловин, И. Я.
Физика и техника полупроводников: Механизмы глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs/AlGaAs-гетероструктур / Полупроводниковые ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Герловин, И. Я.
Механизмы глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs/AlGaAs-гетероструктур / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / И. Я. Герловин, Ю. К. Долгих, С. А. Елисеев, Ю. П. Ефимов, И. А. Недокус, В. В. Овсянкин, В. В. Петров, Б. Я. Бер // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 3 . – 302-305 .
Герловин, И. Я.
Механизмы глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs/AlGaAs-гетероструктур / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / И. Я. Герловин, Ю. К. Долгих, С. А. Елисеев, Ю. П. Ефимов, И. А. Недокус, В. В. Овсянкин, В. В. Петров, Б. Я. Бер // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 3 . – 302-305 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 3
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 3
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный