Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Зегря, Г. Г. - Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
Зегря, Г. Г. - Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
Статья
Автор: Зегря, Г. Г.
Физика и техника полупроводников: Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Зегря, Г. Г.
Физика и техника полупроводников: Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и InAs/GaInAsSb / Физика полупроводниковых приборов / Г. Г. Зегря, М. П. Михайлова, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, К. Д. Моисеев, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 3 . – 351-356 .
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и InAs/GaInAsSb / Физика полупроводниковых приборов / Г. Г. Зегря, М. П. Михайлова, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, К. Д. Моисеев, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 3 . – 351-356 .