Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Долголенко, А. П. - Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n и p-Si0.7Ge0.3 в процессе ...
Долголенко, А. П. - Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n и p-Si0.7Ge0.3 в процессе ...
Статья
Автор: Долголенко, А. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n и p-Si0.7Ge0.3 в процессе ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Долголенко, А. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n и p-Si0.7Ge0.3 в процессе ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Долголенко, А. П.
Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n и p-Si0.7Ge0.3 в процессе реакторного облучения / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. П. Долголенко // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 4 . – 405-409 .
Долголенко, А. П.
Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n и p-Si0.7Ge0.3 в процессе реакторного облучения / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. П. Долголенко // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 4 . – 405-409 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 4
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 4
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный