Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, В. П. - Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si:Er/Si, выращенны...
Кузнецов, В. П. - Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si:Er/Si, выращенны...
Статья
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика твердого тела: Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si:Er/Si, выращенны...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика твердого тела: Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si:Er/Si, выращенны...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кузнецов, В. П.
Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si:Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / Материалы Совещания / В. П. Кузнецов, Р. А. Рубцова, В. Н. Шабанов, А. П. Касаткин, С. В. Седова, Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник, Е. В. Демидов // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2005 . – Т. 47, N 1 . – с. 99-101 .
Кузнецов, В. П.
Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si:Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / Материалы Совещания / В. П. Кузнецов, Р. А. Рубцова, В. Н. Шабанов, А. П. Касаткин, С. В. Седова, Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник, Е. В. Демидов // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2005 . – Т. 47, N 1 . – с. 99-101 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1