Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC / Атомная структура и неэлектронные с...
Лебедев, А. А. - Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC / Атомная структура и неэлектронные с...
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC / Атомная структура и неэлектронные с...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC / Атомная структура и неэлектронные с...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лебедев, А. А.
Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / А. А. Лебедев, С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 3 . – с. 296-299 .
Лебедев, А. А.
Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / А. А. Лебедев, С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 3 . – с. 296-299 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 3
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 3
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный