Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Домашевская, Э. П. - Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) / По...
Домашевская, Э. П. - Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) / По...
Статья
Автор: Домашевская, Э. П.
Физика и техника полупроводников: Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) / По...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Домашевская, Э. П.
Физика и техника полупроводников: Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) / По...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Домашевская, Э. П.
Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Э. П. Домашевская, П. В. Середин, Э. А. Долгополова, И. Е. Занин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 3 . – с. 354-360 .
Домашевская, Э. П.
Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Э. П. Домашевская, П. В. Середин, Э. А. Долгополова, И. Е. Занин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 3 . – с. 354-360 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 3
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 3
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный