Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Орлов, Л. К. - Гетероэпитаксия слоев Si1-xGex на Si(100) методом GeH4-Si молекулярно-лучевой эпитаксии: кинетика...
Орлов, Л. К. - Гетероэпитаксия слоев Si1-xGex на Si(100) методом GeH4-Si молекулярно-лучевой эпитаксии: кинетика...
Статья
Автор: Орлов, Л. К.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Гетероэпитаксия слоев Si1-xGex на Si(100) методом GeH4-Si молекулярно-лучевой эпитаксии: кинетика...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Орлов, Л. К.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Гетероэпитаксия слоев Si1-xGex на Si(100) методом GeH4-Si молекулярно-лучевой эпитаксии: кинетика...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Орлов, Л. К.
Гетероэпитаксия слоев Si1-xGex на Si(100) методом GeH4-Si молекулярно-лучевой эпитаксии: кинетика роста и структурные исследования / Многослойные композиции. Структура и свойства поверхностей раздела / Л. К. Орлов, В. А. Толомасов, А. В. Потапов, В. И. Вдовин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 1998 . – N 2 . – 30-34 .
Орлов, Л. К.
Гетероэпитаксия слоев Si1-xGex на Si(100) методом GeH4-Si молекулярно-лучевой эпитаксии: кинетика роста и структурные исследования / Многослойные композиции. Структура и свойства поверхностей раздела / Л. К. Орлов, В. А. Толомасов, А. В. Потапов, В. И. Вдовин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 1998 . – N 2 . – 30-34 .