Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пагава, Т. А. - Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах...
Пагава, Т. А. - Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах...
Статья
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Пагава, Т. А.
Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si / Электронные и оптические свойства полупроводников / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 4 . – с. 424-425 .
Пагава, Т. А.
Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si / Электронные и оптические свойства полупроводников / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 4 . – с. 424-425 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 4
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 4
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный