Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Астахова, А. П. - Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом га...
Астахова, А. П. - Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом га...
Статья
Автор: Астахова, А. П.
Физика и техника полупроводников: Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом га...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Астахова, А. П.
Физика и техника полупроводников: Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом га...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Астахова, А. П.
Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений / Физика полупроводниковых приборов / А. П. Астахова, Н. Д. Ильинская, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 4 . – с. 497-511 .
Астахова, А. П.
Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений / Физика полупроводниковых приборов / А. П. Астахова, Н. Д. Ильинская, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 4 . – с. 497-511 .