Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шевалеевский, О. И. - Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC:H, выращенных м...
Шевалеевский, О. И. - Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC:H, выращенных м...
Статья
Автор: Шевалеевский, О. И.
Физика и техника полупроводников: Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC:H, выращенных м...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шевалеевский, О. И.
Физика и техника полупроводников: Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC:H, выращенных м...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Шевалеевский, О. И.
Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC:H, выращенных методом photo-CVD / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / О. И. Шевалеевский, S. Y. Moyong, K. S. Lim, S. Miyajima, M. Konagai // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 6 . – с. 741-743 .
Шевалеевский, О. И.
Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC:H, выращенных методом photo-CVD / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / О. И. Шевалеевский, S. Y. Moyong, K. S. Lim, S. Miyajima, M. Konagai // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 6 . – с. 741-743 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 6
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 6
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный