Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Винокуров, Д. А. - InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
Винокуров, Д. А. - InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
Статья
Автор: Винокуров, Д. А.
Физика и техника полупроводников: InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Винокуров, Д. А.
Физика и техника полупроводников: InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физика полупроводниковых приборов / Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, А. Л. Станкевич, Д. Н. Николаев, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Н. В. Фетисова, И. Н. Арсентьев, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 11 . – 1380-1384 .
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физика полупроводниковых приборов / Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, А. Л. Станкевич, Д. Н. Николаев, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Н. В. Фетисова, И. Н. Арсентьев, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 11 . – 1380-1384 .