Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Емельянов, А. М. - Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминечценцию в сверх...
Емельянов, А. М. - Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминечценцию в сверх...
Статья
Автор: Емельянов, А. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминечценцию в сверх...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Емельянов, А. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминечценцию в сверх...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емельянов, А. М.
Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминечценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN / Низкоразмерные системы / А. М. Емельянов, Н. А. Соболев, Е. И. Шек, В. В. Лундин, А. С. Усиков, Е. О. Паршин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 9 . – с. 1080-1082 .
Емельянов, А. М.
Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминечценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN / Низкоразмерные системы / А. М. Емельянов, Н. А. Соболев, Е. И. Шек, В. В. Лундин, А. С. Усиков, Е. О. Паршин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 9 . – с. 1080-1082 .