Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сукач, А. В. - Особенности изготовления диффузионных InAs p-n-переходов и исследование их фотоэлектрических свойств
Сукач, А. В. - Особенности изготовления диффузионных InAs p-n-переходов и исследование их фотоэлектрических свойств
Книга (аналит. описание)
Автор: Сукач, А. В.
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Особенности изготовления диффузионных InAs p-n-переходов и исследование их фотоэлектрических свойств
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сукач, А. В.
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Особенности изготовления диффузионных InAs p-n-переходов и исследование их фотоэлектрических свойств
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Сукач, А. В.
Особенности изготовления диффузионных InAs p-n-переходов и исследование их фотоэлектрических свойств / А. В. Сукач, Г. С. Олейник, В. В. Тетеркин, А. Т. Ворощенко, В. И. Лукьяненко, Т. П. Нужная // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / С. В. Свечников . – Киев : Наук. думка, 1982. - Вып.39 : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника . – 2004 . – с.162-171 .
Сукач, А. В.
Особенности изготовления диффузионных InAs p-n-переходов и исследование их фотоэлектрических свойств / А. В. Сукач, Г. С. Олейник, В. В. Тетеркин, А. Т. Ворощенко, В. И. Лукьяненко, Т. П. Нужная // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / С. В. Свечников . – Киев : Наук. думка, 1982. - Вып.39 : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника . – 2004 . – с.162-171 .