Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сошников, И. П. - Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитакс...
Сошников, И. П. - Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитакс...
Статья
Автор: Сошников, И. П.
Физика твердого тела: Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитакс...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сошников, И. П.
Физика твердого тела: Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитакс...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сошников, И. П.
Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Полупроводники. Диэлектрики / И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких, Ю. Б. Самсоненко, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, О. М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2005 . – Т. 47, N 12 . – с. 2121-2126 .
Сошников, И. П.
Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Полупроводники. Диэлектрики / И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких, Ю. Б. Самсоненко, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, О. М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2005 . – Т. 47, N 12 . – с. 2121-2126 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1