Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ледяев, О. Ю. - Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC / Полупроводниковые структуры, границы раздела...
Ледяев, О. Ю. - Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC / Полупроводниковые структуры, границы раздела...
Статья
Автор: Ледяев, О. Ю.
Физика и техника полупроводников: Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC / Полупроводниковые структуры, границы раздела...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ледяев, О. Ю.
Физика и техника полупроводников: Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC / Полупроводниковые структуры, границы раздела...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ледяев, О. Ю.
Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / О. Ю. Ледяев, А. М. Стрельчук, А. Н. Кузнецов, Н. В. Середова, А. С. Зубрилов, А. А. Волкова, А. Е. Николаев, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 12 . – с. 1452-1454 .
Ледяев, О. Ю.
Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / О. Ю. Ледяев, А. М. Стрельчук, А. Н. Кузнецов, Н. В. Середова, А. С. Зубрилов, А. А. Волкова, А. Е. Николаев, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 12 . – с. 1452-1454 .