Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Востоков, Н. В. - Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si(1-x)Gex/Si (001) /...
Востоков, Н. В. - Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si(1-x)Gex/Si (001) /...
Статья
Автор: Востоков, Н. В.
Физика и техника полупроводников: Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si(1-x)Gex/Si (001) /...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Востоков, Н. В.
Физика и техника полупроводников: Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si(1-x)Gex/Si (001) /...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Востоков, Н. В.
Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si(1-x)Gex/Si (001) / Низкоразмерные системы / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 2 . – с. 235-239 .
Востоков, Н. В.
Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si(1-x)Gex/Si (001) / Низкоразмерные системы / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 2 . – с. 235-239 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 2
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 2
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный