Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Тягинов, С. Э.
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на переключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si при обратном смещении / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / С. Э. Тягинов, М. И. Векслер, А. Ф. Шулекин, И. В. Грехов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 3 . – с. 314-318 .