Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Болховитянов, Ю. Б.
О зарождении дислокаций несоответствия с поверхности при выращивании пленок GeSi/Si(001) методом низкотемпературной (300-400 градусов Цельсия) молекулярной эпитаксии / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Ю. Б. Болховитянов, А. С. Дерябин, А. К. Гутаковский, М. А. Ревенко, Л. В. Соколов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 3 . – с. 324-331 .