Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шашкин, В. И. - Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N)...
Шашкин, В. И. - Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N)...
Статья
Автор: Шашкин, В. И.
Физика и техника полупроводников: Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N)...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шашкин, В. И.
Физика и техника полупроводников: Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N)...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шашкин, В. И.
Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) на GaAs(001) с интенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм / Низкоразмерные системы / В. И. Шашкин, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. М. Гапонова, О. И. Хрыкин, А. В. Мурель, Н. В. Востоков, T. Kim, Y. J. Park // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 4 . – с. 455-459 .
Шашкин, В. И.
Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) на GaAs(001) с интенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм / Низкоразмерные системы / В. И. Шашкин, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. М. Гапонова, О. И. Хрыкин, А. В. Мурель, Н. В. Востоков, T. Kim, Y. J. Park // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 4 . – с. 455-459 .