Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тонких, А. А. - Влияние разориентации подложки GaAs а свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при н...
Тонких, А. А. - Влияние разориентации подложки GaAs а свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при н...
Статья
Автор: Тонких, А. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние разориентации подложки GaAs а свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при н...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тонких, А. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние разориентации подложки GaAs а свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при н...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Тонких, А. А.
Влияние разориентации подложки GaAs а свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при низких температурах / Низкоразмерные системы / А. А. Тонких, Г. Э. Цырлин, Н. К. Поляков, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, Н. Д. Захаров, Р. Werner, В. Г. Талалаев, Б. В. Новиков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 5 . – с. 603-607 .
Тонких, А. А.
Влияние разориентации подложки GaAs а свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при низких температурах / Низкоразмерные системы / А. А. Тонких, Г. Э. Цырлин, Н. К. Поляков, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, Н. Д. Захаров, Р. Werner, В. Г. Талалаев, Б. В. Новиков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 5 . – с. 603-607 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 5
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 5
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный