Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пагава, Т. А. - Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах ...
Пагава, Т. А. - Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах ...
Статья
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Пагава, Т. А.
Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si / Электронные и оптические свойства полупроводников / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 8 . – с. 919-921 .
Пагава, Т. А.
Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si / Электронные и оптические свойства полупроводников / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 8 . – с. 919-921 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 8
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 8
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный