Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Рожанский, И. В. - Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодиевых гетероструктур AlGaInN пр...
Рожанский, И. В. - Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодиевых гетероструктур AlGaInN пр...
Статья
Автор: Рожанский, И. В.
Физика и техника полупроводников: Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодиевых гетероструктур AlGaInN пр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Рожанский, И. В.
Физика и техника полупроводников: Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодиевых гетероструктур AlGaInN пр...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Рожанский, И. В.
Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодиевых гетероструктур AlGaInN при большой плотности тока накачки / Физика полупроводниковых приборов / И. В. Рожанский, Д. А. Закгейм // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 7 . – с. 861-867 .
Рожанский, И. В.
Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодиевых гетероструктур AlGaInN при большой плотности тока накачки / Физика полупроводниковых приборов / И. В. Рожанский, Д. А. Закгейм // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 7 . – с. 861-867 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 7
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 7
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный