Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Малышев, С. А. - Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP / Физика полупровод...
Малышев, С. А. - Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP / Физика полупровод...
Статья
Автор: Малышев, С. А.
Физика и техника полупроводников: Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP / Физика полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Малышев, С. А.
Физика и техника полупроводников: Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP / Физика полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Малышев, С. А.
Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP / Физика полупроводниковых приборов / С. А. Малышев, А. Л. Чиж, Ю. Г. Василевский // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 9 . – с. 1144-1149 .
Малышев, С. А.
Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP / Физика полупроводниковых приборов / С. А. Малышев, А. Л. Чиж, Ю. Г. Василевский // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 9 . – с. 1144-1149 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 9
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 9
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный