Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Donchev, V. - Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate gene...
Donchev, V. - Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate gene...
Статья
Автор: Donchev, V.
Физика твердого тела: Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate gene...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Donchev, V.
Физика твердого тела: Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate gene...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Donchev, V.
Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate generation of electrons and holes / Низкоразмерные системы. Физика поверхности / V. Donchev, E. S. Moskalenko, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, B. Monemar, W. V. Schoenfeld, J. M. Garcla, P. M. Petroff // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2006 . – Т. 48, N 10 . – p. 1877-1882 .
Donchev, V.
Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate generation of electrons and holes / Низкоразмерные системы. Физика поверхности / V. Donchev, E. S. Moskalenko, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, B. Monemar, W. V. Schoenfeld, J. M. Garcla, P. M. Petroff // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2006 . – Т. 48, N 10 . – p. 1877-1882 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1