Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Санкин, В. И.
Эффекты ванье-штарковской локализации в 6H-SiC планарном полевом транзисторе с p-n-переходом в качестве затвора / Физика полупроводниковых приборов / В. И. Санкин, П. П. Шкребий, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 10 . – с. 1270-1274 .