Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дементьев, П. А. - Формирование естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaA...
Дементьев, П. А. - Формирование естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaA...
Статья
Автор: Дементьев, П. А.
Физика и техника полупроводников: Формирование естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaA...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дементьев, П. А.
Физика и техника полупроводников: Формирование естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaA...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дементьев, П. А.
Формирование естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb в местах выхода слоев с высоким содержанием Al / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, И. В. Макаренко, В. Н. Петров, А. Н. Титков, A. N. Baranov, D. A. Yarekha, R. Laiho // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 11 . – с. 1281-1288 .
Дементьев, П. А.
Формирование естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb в местах выхода слоев с высоким содержанием Al / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, И. В. Макаренко, В. Н. Петров, А. Н. Титков, A. N. Baranov, D. A. Yarekha, R. Laiho // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 11 . – с. 1281-1288 .