Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Орлов, Л. К. - Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-x Gex из гидридов ...
Орлов, Л. К. - Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-x Gex из гидридов ...
Статья
Автор: Орлов, Л. К.
Физика и техника полупроводников: Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-x Gex из гидридов ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Орлов, Л. К.
Физика и техника полупроводников: Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-x Gex из гидридов ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Орлов, Л. К.
Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-x Gex из гидридов в вакууме / Л. К. Орлов, С. В. Ивин // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 1 . – С. 56-66 .
Орлов, Л. К.
Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-x Gex из гидридов в вакууме / Л. К. Орлов, С. В. Ивин // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 1 . – С. 56-66 .