Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 2 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 2 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Вергелес, П. С.
Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока
б.г.
ISBN отсутствует
Вергелес, П. С.
Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алкеев, Н. В.
Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами
б.г.
ISBN отсутствует
Алкеев, Н. В.
Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Талалаев, В. Г.
Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем
б.г.
ISBN отсутствует
Талалаев, В. Г.
Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Галашов, А. Е.
Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур
б.г.
ISBN отсутствует
Галашов, А. Е.
Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баженов, Н. Л.
Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур
б.г.
ISBN отсутствует
Баженов, Н. Л.
Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козлов, Д. А.
Свойства двумерного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Козлов, Д. А.
Свойства двумерного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Каганович, Э. Б.
Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением
б.г.
ISBN отсутствует
Каганович, Э. Б.
Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Михайлова, М. П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
б.г.
ISBN отсутствует
Михайлова, М. П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Боднарь, И. В.
Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn5Se8
б.г.
ISBN отсутствует
Боднарь, И. В.
Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn5Se8
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Скипетров, Е. П.
Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением
б.г.
ISBN отсутствует
Скипетров, Е. П.
Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дарчук, Л. А.
Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице PbTe
б.г.
ISBN отсутствует
Дарчук, Л. А.
Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице PbTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Икусов, Д. Г.
Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x = 0,20-0,23)
б.г.
ISBN отсутствует
Икусов, Д. Г.
Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x = 0,20-0,23)
б.г.
ISBN отсутствует