Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бенеманская, Г. В. - Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN(0001): электронные и фотоэми...
Бенеманская, Г. В. - Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN(0001): электронные и фотоэми...
Статья
Автор: Бенеманская, Г. В.
Физика твердого тела: Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN(0001): электронные и фотоэми...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бенеманская, Г. В.
Физика твердого тела: Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN(0001): электронные и фотоэми...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бенеманская, Г. В.
Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN(0001): электронные и фотоэмиссионные свойства / Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев // Физика твердого тела . – 2007 . – T. 49, N 4 . – С. 613-617 .
Бенеманская, Г. В.
Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN(0001): электронные и фотоэмиссионные свойства / Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев // Физика твердого тела . – 2007 . – T. 49, N 4 . – С. 613-617 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1