Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Kalinina, E. V. - Structural peculiarities of 4H-SiC Irradiated by Bi ions
Kalinina, E. V. - Structural peculiarities of 4H-SiC Irradiated by Bi ions
Статья
Автор: Kalinina, E. V.
Физика и техника полупроводников: Structural peculiarities of 4H-SiC Irradiated by Bi ions
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Kalinina, E. V.
Физика и техника полупроводников: Structural peculiarities of 4H-SiC Irradiated by Bi ions
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Kalinina, E. V.
Structural peculiarities of 4H-SiC Irradiated by Bi ions / E. V. Kalinina, V. A. Skuratov, A. A. Sitnikova, E. V. Kolesnikova, A. S. Tregubova, M. P. Scheglov // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 4 . – P. 392-396 .
Kalinina, E. V.
Structural peculiarities of 4H-SiC Irradiated by Bi ions / E. V. Kalinina, V. A. Skuratov, A. A. Sitnikova, E. V. Kolesnikova, A. S. Tregubova, M. P. Scheglov // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 4 . – P. 392-396 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 4
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 4
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный