Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Kaminski, P. - Photoinduced transient spectroscopy of defect centers in GaN and SiC
Kaminski, P. - Photoinduced transient spectroscopy of defect centers in GaN and SiC
Статья
Автор: Kaminski, P.
Физика и техника полупроводников: Photoinduced transient spectroscopy of defect centers in GaN and SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Kaminski, P.
Физика и техника полупроводников: Photoinduced transient spectroscopy of defect centers in GaN and SiC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Kaminski, P.
Photoinduced transient spectroscopy of defect centers in GaN and SiC / P. Kaminski, R. Kozlowski, M. Kozubal, J. Zelazko, M. Miczuga, M. Pawlowski // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 4 . – P. 429-434 .
Kaminski, P.
Photoinduced transient spectroscopy of defect centers in GaN and SiC / P. Kaminski, R. Kozlowski, M. Kozubal, J. Zelazko, M. Miczuga, M. Pawlowski // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 4 . – P. 429-434 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 4
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 4
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный