Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Акчурин, Р. Х. - Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs мет...
Акчурин, Р. Х. - Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs мет...
Статья
Автор: Акчурин, Р. Х.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs мет...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Акчурин, Р. Х.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs мет...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на образование дислокаций несоответствия / Р. Х. Акчурин, В. П. Дураев, А. А. Малджы, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, А. В. Сухарев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2007 . – N 2 . – С. 18-21 .
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на образование дислокаций несоответствия / Р. Х. Акчурин, В. П. Дураев, А. А. Малджы, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, А. В. Сухарев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2007 . – N 2 . – С. 18-21 .
Привязано к:
Нет экз.