Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Аргунова, Т. С. - Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращ...
Аргунова, Т. С. - Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращ...
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Аргунова, Т. С.
Физика и техника полупроводников: Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Аргунова, Т. С.
Физика и техника полупроводников: Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аргунова, Т. С.
Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращивания / Т. С. Аргунова, Е. И. Белякова, И. В. Грехов, А. Г. Забродский, Л. С. Костина, Л. М. Сорокин, Н. М. Шмидт, J. M. Yi, J. W. Jung, J. H. Je, Н. В. Абросимов // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 6 . – С. 700-705 .
Аргунова, Т. С.
Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращивания / Т. С. Аргунова, Е. И. Белякова, И. В. Грехов, А. Г. Забродский, Л. С. Костина, Л. М. Сорокин, Н. М. Шмидт, J. M. Yi, J. W. Jung, J. H. Je, Н. В. Абросимов // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 6 . – С. 700-705 .