Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лантратов, В. М. - Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной ...
Лантратов, В. М. - Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной ...
Статья
Автор: Лантратов, В. М.
Физика и техника полупроводников: Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лантратов, В. М.
Физика и техника полупроводников: Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лантратов, В. М.
Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 6 . – С. 751-755 .
Лантратов, В. М.
Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 6 . – С. 751-755 .