Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лютецкий, А. В. - 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
Лютецкий, А. В. - 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
Статья
Автор: Лютецкий, А. В.
Физика и техника полупроводников: 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лютецкий, А. В.
Физика и техника полупроводников: 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур / А. В. Лютецкий, К. С. Борщев, А. Д. Бондарев, Т. А. Налет, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, Н. В. Фетисова, М. А. Хомылев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – T. 41, N 7 . – С. 883-887 .
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур / А. В. Лютецкий, К. С. Борщев, А. Д. Бондарев, Т. А. Налет, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, Н. В. Фетисова, М. А. Хомылев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – T. 41, N 7 . – С. 883-887 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 41, N 7
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 41, N 7
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный