Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тысченко, И. Е. - Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях...
Тысченко, И. Е. - Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях...
Статья
Автор: Тысченко, И. Е.
Физика и техника полупроводников: Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тысченко, И. Е.
Физика и техника полупроводников: Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Тысченко, И. Е.
Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического давления / Электронные и оптические свойства полупроводников / И. Е. Тысченко, К. С. Журавлев, Е. Н. Вандышев, А. Мисюк, Р. А. Янков, Л. Реболе, В. Скорупа // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 2 . – 129-135 .
Тысченко, И. Е.
Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического давления / Электронные и оптические свойства полупроводников / И. Е. Тысченко, К. С. Журавлев, Е. Н. Вандышев, А. Мисюк, Р. А. Янков, Л. Реболе, В. Скорупа // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 2 . – 129-135 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 2
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 2
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный