Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Савкина, Н. С. - Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карб...
Савкина, Н. С. - Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карб...
Статья
Автор: Савкина, Н. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карб...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Савкина, Н. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карб...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Савкина, Н. С.
Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карбида кремния / Электронные и оптические свойства полупроводников / Н. С. Савкина, В. В. Ратников, В. Б. Шуман // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 2 . – 159-163 .
Савкина, Н. С.
Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карбида кремния / Электронные и оптические свойства полупроводников / Н. С. Савкина, В. В. Ратников, В. Б. Шуман // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 2 . – 159-163 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 2
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 2
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный