Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Алексеев, А. Н. - Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN
Алексеев, А. Н. - Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN
Статья
Автор: Алексеев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Алексеев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алексеев, А. Н.
Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN / А. Н. Алексеев, А. Э. Бырназ, Д. М. Красовицкий, М. В. Павленко, С. И. Петров, Ю. В. Погорельский, И. А. Соколов, М. А. Соколов, М. В. Степанов, А. П. Шкурко, В. П. Чалый // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 9 . – с. 1025-1030 .
Алексеев, А. Н.
Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN / А. Н. Алексеев, А. Э. Бырназ, Д. М. Красовицкий, М. В. Павленко, С. И. Петров, Ю. В. Погорельский, И. А. Соколов, М. А. Соколов, М. В. Степанов, А. П. Шкурко, В. П. Чалый // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 9 . – с. 1025-1030 .