Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Войцеховский, А. В. - Свойства МДП-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Войцеховский, А. В. - Свойства МДП-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Статья
Автор: Войцеховский, А. В.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Свойства МДП-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Войцеховский, А. В.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Свойства МДП-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Войцеховский, А. В.
Свойства МДП-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2007 . – N 3 . – С. 31-35 .
Войцеховский, А. В.
Свойства МДП-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2007 . – N 3 . – С. 31-35 .
Привязано к:
Нет экз.