Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Карандашев, С. А. - Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2...
Карандашев, С. А. - Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2...
Статья
Автор: Карандашев, С. А.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Карандашев, С. А.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Карандашев, С. А.
Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2,7-3,7 мкм / С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, Л. С. Лунин, В. И. Ратушный, А. В. Корюк, В. В. Кузнецов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2007 . – N 3 . – С. 36-38 .
Карандашев, С. А.
Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2,7-3,7 мкм / С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, Л. С. Лунин, В. И. Ратушный, А. В. Корюк, В. В. Кузнецов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2007 . – N 3 . – С. 36-38 .
Привязано к:
Нет экз.