Электронный каталог -Шалеев, М. В. - Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных ме...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Шалеев, М. В. - Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных ме...

Шалеев, М. В. - Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных ме...

Статья
Автор: Шалеев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных ме...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Шалеев, М. В.
Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными слоями Si / М. В. Шалеев, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 11 . – c. 1375-1380 .