Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Карандашев, С. А. - Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале темпер...
Карандашев, С. А. - Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале темпер...
Статья
Автор: Карандашев, С. А.
Физика и техника полупроводников: Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале темпер...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Карандашев, С. А.
Физика и техника полупроводников: Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале темпер...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Карандашев, С. А.
Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале температур 20-140 градусов Цельсия / С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Шленский, Л. С. Лунин, В. И. Ратушный, А. В. Корюк, Н. Г. Тараканова // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 11 . – с. 1389-1394 .
Карандашев, С. А.
Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале температур 20-140 градусов Цельсия / С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Шленский, Л. С. Лунин, В. И. Ратушный, А. В. Корюк, Н. Г. Тараканова // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 11 . – с. 1389-1394 .